AFM模式

DataCube模式

每个像素处的多维纳米级信息

纳米电特性的完整解决方案

DataCube模式扩展了能力,例如PeakForce金枪鱼PeakForce KPFM,通过启用多维数据立方体的采集。对于材料科学家和工程师来说,这打破了长期存在的效率和表征障碍。这些新功能提供了在高密度数据立方体中同bob综合游戏时捕获纳米级电气和机械特性的功能,而这在以前是不可能在一次测量中实现的。

相关多维电子能谱学

Dimension XR的DataCube模式在每个像素上提供多维纳米尺度的信息,在一次测量中同时捕捉电气和机械特性。

DataCube模式使用FASTForce体积在每个像素中执行力-距离谱,使用用户定义的“停留时间”。利用高数据捕获速率,在停留时间内进行大量的电子测量,从而在每个像素处产生电子和机械光谱。典型的力-距离谱,以40赫兹的斜坡速率和每像素100毫秒的停留时间测量,在单个实验中提供了完整的表征,这在商业AFM中是闻所未闻的。同时渲染地形、机械和多维电性信息不再是史诗般的实验。现在这些数据可以作为常规的AFM测量。DataCube模式在每次扫描中使用复合数据呈现纳米尺度的多维数据立方体。该功能支持一系列功能强大的新模式。

DataCube-TUNA (DCUBE-TUNA)

导电AFM结果受施加样品电压的影响,描绘了材料或器件的重要性能转变。DCUBE-TURNA能够在一次测量中同时采集多个样品电压下的纳米机械信息和导电性,从而构建一个密集的样品信息数据立方体。这是提供样品导电性完整图片的唯一模式,包括导电性类型(欧姆、非欧姆、肖特基等)和势垒高度等细节。

当每个像素的样品电压从-2V上升到+2V时,在Maghemite (γ-Fe2O3)上收集的电流图像。不同的晶粒有不同的传导机制,通过扫描电压将数据视为“切片”来突出显示。

DataCube-SCM (DCUBE-SCM)

扫描电容显微镜(SCM)提供了一种纳米级准确度直接测量活性载流子浓度的方法。DCUBE-SCM可在一次测量中,在多个采样电压下同时采集纳米机械和载体信息。该技术为观察dC/dV振幅和dC/dV相位值变化以及结位置偏移提供了独特的解决方案。通过生成的数据立方体,研究人员可以观察到关于氧化物厚度、氧化物电荷、阈值电压、移动离子污染和界面陷阱密度的额外信息。

当电压从-2V上升到2V时,切片通过dC/dV幅度,显示pnp结剖面随电压变化。数据由法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学的N. Chevalier和D. Mariolle提供。
SRAM存储器中两个相邻的pnp晶体管在将样品电压从-2V提升到+2V时采集的dC/dV幅值图像。与电压相关的pn结位置对应于预期的行为。有些掺杂剂缺陷仅在特定电压下可见。扫描尺寸3x3毫米。数据由N. Chevalier和D. Mariolle提供。格勒诺布尔阿尔卑斯,CEA, LETI,法国。

DataCube-PFM (DCUBE-PFM)

压电响应显微镜是一种能在纳米尺度上绘制出样品的逆压电效应的技术。DCUBE-PFM能够在数据立方中同时获取纳米机械信息和PFM振幅/相位谱,从而揭示单个数据集中每个单个域的开关电压。此外,DCUBE-PFM克服了伪影、样品损坏和与传统方法相关的数据分析的复杂性联系方式方法。

在BFO铁电样品中,DCUBE-PFM高度和PFM图像(左)以及沿1.2µm长线穿过多个畴的光谱图(右)。这些图显示了从-6V到0V的斜坡过程中PFM振幅和相位与偏置的关系。可以为每个单独的域提取开关电压。

DataCube-CR-PFM (DCUBE-CR-PFM)

DCUBE压电响应(压力)显微镜结合接触共振提供了DCUBE- pfm的优点,还提供了在每个像素处的频率斜坡,在接触共振处提供全频谱和峰值灵敏度。

在LiTaO3样品上收集的DCUBE-CR-PFM数据显示了形貌、接触共振(CR)时的PFM振幅、PFM相位和CR峰数(当材料不显示压电响应时为零)。PFM的振幅和相位与频谱,以及相应的力谱显示了几个像素。

DataCube-SSRM (DCUBE-SSRM)

扫描扩散电阻显微镜(SSRM)用于绘制掺杂半导体中大多数载流子浓度的变化。DCUBE-SSRM能够在一次测量中同时获取纳米机械信息和3D载流子密度映射。由此产生的数据立方体提供了完整的表征,包括纳米级形貌、机械信息和对数电阻谱。此外,I-V测量揭示了导电性,无论是欧姆、非欧姆、肖特基还是其他。

这里的图像系列展示了维度图标XR上的DataCube SSRM如何帮助绘制组件分布图并揭示粒子间的剧烈变化。在这里,DataCube模式下可用的模量图清楚地将硬金属氧化物颗粒与周围的软粘合剂区分开来,而同时获得的电导率图揭示了炭黑的不均匀分布。图像上边缘附近的粒子未被炭黑覆盖,从同一数据立方体中提取的一系列导电图像将该粒子识别为死粒子,即在整个工作电压范围内不活动。

DataCube-sMIM (DCUBE-sMIM)

扫描微波显微镜成像(sMIM)提供了阻抗的容性(C)和电阻性(R)部分,以及在用户定义的样品电压下的dC/dV和dR/dV数据。有了DCUBE-sMIM,人们可以在不同的采样电压下,在一次扫描中获得相同的性能,并立即获得“全貌”。光谱还揭示了其他信息,如导电类型(欧姆、非欧姆、肖特基等)、氧化物厚度、氧化物电荷、移动离子污染和界面陷阱密度。

力与时间,以及电容(sMIM-C)与时间的关系,以2像素为单位绘制,掺杂类型相反。在100ms停留时间内获得的典型S形C-V曲线对于n型和p型均可见。图像显示了具有双阶梯剖面的Si样本上DataCube中3个不同样本电压下的“切片”(样本描述见:DOI:10.1016/j.microrel.2014.07.024,Infineon慕尼黑)。在不同电压下,n型和p型区域的对比度和灵敏度不同。